少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

特點(diǎn) ：        

◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）   

◇  SEMI標(biāo)準(zhǔn)：PV9-1110        

◇  測(cè)試速度：線掃描 < 30 s；完整的面掃秒 < 5 min        

◇  同時(shí)測(cè)量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率

◇  自動(dòng)幾何形狀識(shí)別： G12、M10晶磚和晶圓片        

應(yīng)用 :   

◇  壽命 & 電阻率面掃描        

◇  晶體生長監(jiān)控（即滑移線）        

◇  污染監(jiān)測(cè)

◇  氧條紋/OSF環(huán)       

◇  P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

◇  發(fā)射極層的方阻        

◇  更多…

技術(shù)規(guī)格 :   

直拉硅單晶硅錠中的滑移線

含有大量缺陷的準(zhǔn)單晶硅錠的壽命測(cè)量

MDP studio -  操作和評(píng)估軟件 ：

用戶友好且*的操作軟件具有：

◇  導(dǎo)入和導(dǎo)出功能

◇  帶有操作員的用戶結(jié)構(gòu)

◇  所有執(zhí)行的測(cè)量概覽

◇  樣品參數(shù)輸出

◇  單點(diǎn)測(cè)量（例如：注入濃度相關(guān)的測(cè)量）

◇  面掃描

◇  測(cè)試配方

◇  分析功能包

◇  線掃描和單點(diǎn)瞬態(tài)視圖

配置選項(xiàng)：

◇  光斑尺寸變化

◇  電阻率測(cè)量（晶磚和晶圓片）

◇  背景/偏置光

◇  反射測(cè)量（MDP）

◇  LBIC

◇  P型摻雜硅中的鐵圖譜

◇  p/n檢測(cè)

◇  條碼讀取器

◇  自動(dòng)幾何識(shí)別

◇  寬的激光器波長范圍

少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)  應(yīng)用 ：        

鐵濃度測(cè)定

鐵的濃度的精確測(cè)定是非常重要的，因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的

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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測(cè)量

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……

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陷阱濃度測(cè)定

陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對(duì)太陽能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測(cè)量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。

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注入相關(guān)測(cè)量

少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。

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遠(yuǎn)程訪問基于IP的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持

多晶硅晶圓線掃描HJT晶圓的壽命測(cè)量